问答题
简答题
简述PN结反向击穿的原理（雪崩效应、齐纳击穿、热电击穿）
【参考答案】
（1）雪崩击穿：半导体中，pn结反向电压增大时，势垒区中的电场很强，在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用，具有......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
点击查看答案
