相关考题
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单项选择题
NPN晶体三极管须满足的的工艺条件（）。
A.发射区高掺杂
B.集电结面积远大于发射结面积
C.基区很薄
D.以上都是 -
多项选择题
以下参数为放大器基本参数的是（）。
A.增益
B.带宽
C.输入电阻
D.输出电阻 -
单项选择题
下列对共源放大器的描述正确的是（）。
A.输入电阻高，输出电阻低
B.输入电阻低，输出电阻低
C.输入电阻高，输出电阻高
D.输入电阻低，输出电阻高
