多项选择题
关于对CMOS结构的NAND3，下列说法中，哪些是错误的？（）
A.对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力与低电平驱动能力相同
B.对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍
C.对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍
D.对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍
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多项选择题
关于CMOS逻辑单元，下列说法中，哪些是正确的？（）
A.在同一芯片上制作大量晶体管就称为集成电路
B.CMOS逻辑单元完全由晶体管在电路板上连接构成
C.集成电路需要晶体管连接形成功能单元后再进行封装
D.集成电路的对等性设计要求各逻辑单元的高电平驱动能力与低电平驱动能力相同 -
单项选择题
设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。采用5V电源时，若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，高电平驱动能力为8mA，低电平驱动能力为10mA，则NMOS导通电阻为（）。
A.275
B.250
C.220
D.200 -
单项选择题
若CMOS单元的设计指标为：输入高电平最小值2.8V 输入低电平最大值2.3V输出高电平最小值3.9V 输出低电平最大值0.7V则高电平噪声容限为（）。
A.0.5V
B.1.1V
C.1.6V
D.2.1V
