单项选择题
以下ROM中，允许用户编程操作次数最多是（）
A.掩模式只读存储器MROM
B.可编程只读存储器PROM
C.可编程的只读存储器EPROM
D.电可擦除可编程ROM
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单项选择题
动态RAM存储单元的刷新操作指的是（）
A.向存储单元写入一个新数据
B.读存储单元的同时，并将读出的值写回
C.读存储单元
D.定时读存储单元，并将读出的值写回 -
单项选择题
从下图表示的DRAM的写操作时序可以看出，分割行地址和列地址的信号是（）
A./RAS
B./CAS
C./CE
D./WE -
单项选择题
对一个静态存储单元，说法不正确的是（）
A.行线和列线同时选中时，存储单元有1位数据输出
B.存储单元既有正相数据输出，也有反相数据输出
C.存储单元只有正相数据输出
D.向存储单元写入数据时，既要提供正相数据，也要提供反相数据
