单项选择题
形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？（）
A.可以，实际注硼：QB
B.不可以
C.可以，实际注硼：QB+QSb
D.可以，实际注硼：QB-QSb
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单项选择题
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
A.横向效应，>
B.横向效应，<
C.沟道效应，<
D.沟道效应，> -
多项选择题
关于氧化速率下面哪种描述是正确的？（）
A.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率
C.温度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快 -
单项选择题
在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）
