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试画出用预充电逻辑实现
的电路原理图的电路图，并画出在一个时钟周期内，当A=1、B=0、C=1时，X的变化波形。
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问答题
试画出下列版图的电路原理图
问答题
设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层介电常数ε0εox为3.45x10-13F/cm，电子迁移率500cm2/V.s空穴迁移率200cm2/V.s，阈值电压Vtn=-Vtp=0.8V晶体管最小栅宽3μm，电源电压3V，有两个反相器相连（栅长相等），前一级为最小尺寸，后一级宽长比为前一级的3倍，驱动的负载CL=10fF，试求反相器链的延迟时间。
问答题
画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据下图的输入画出X，Y的波形（不考虑延迟）。
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