考题列表
- 问答题 画出用多米诺逻辑实现X=AB+C,Y=XD的电路图,并根据图...
- 问答题 2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm,Cox=1fF/μm...
- 问答题 求图中电路从A到B的电容值,已知面电容值(fF/μm2)分别...
- 问答题 写出图1和图2电路的逻辑表达式OUT=f(A,B,C,D),...
- 问答题 画出图中版图的电路原理图。
- 问答题 根据下面的版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型面电容值为...
- 问答题 一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源...
- 问答题 试画出下图版图的电路原理图。
- 问答题 试写出图中W、X、Y、Z的逻辑表达式。
- 问答题 试写出图中F1和F2的逻辑表达式。
- 问答题 画出下列版图的电路原理图。
- 问答题 试画出用预充电逻辑实现 的电路原理图的电路图,并画出在一个...
- 问答题 试画出下列版图的电路原理图
- 问答题 设1μmCMOS工艺的参数为:栅氧化层厚度35nm,栅氧化层...
- 问答题 画出用多米诺逻辑实现X=AB+C,Y=XD的电路图,并根据下...
- 问答题 下图是一个电路的部分版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型...
- 问答题 在下图中,分别给出测试1/1、3/1、4/0错误的测试向量。"
- 问答题 在下图中,利用NMOS管实现A与B的同或函数。
- 问答题 试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式:
- 问答题 用预充电逻辑设计 画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF...
- 问答题 试用两输入LUT单元实现逻辑式:Z=AB+CD
- 问答题 试用多米诺方法实现下列逻辑方程:R=AB+BC+AC
- 问答题 画出图中版图的电路原理图。
- 问答题 画出图中版图的电路原理图。
- 问答题 某CMOS微处理器有40万支晶体管,工作在20MHz频率下,...
- 问答题 用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。
- 问答题 用优化设计的逐级放大反相器链驱动负载的延迟时间tcas,并给...
- 问答题 用标准反相器直接驱动负载的延迟时间tdir。
- 问答题 四级反相器逐级相联,第一级为标准尺寸CMOS反相器,若后一级...
- 问答题 已知 试计算两输入与非门,两输入或非门和CMOS反相器的门...
- 问答题 假设k丶N=2k丶p,试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的...
- 问答题 对于的三输入CMOS与非门,试计算最坏情况下的上升时间和下降...
- 问答题 若该CMOS反相器的输出端接了一个60fF的电容,在20MH...
- 问答题 若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器,问该反相器的门延迟...
- 问答题 CMOS反相器的负载为相同尺寸的反相器时,反相器的门延迟时间...
- 问答题 P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。
- 问答题 试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子βn。
- 问答题 利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化...
- 问答题 计算该材料的方块电阻值。
- 问答题 若使用方块电阻的概念,计算该材料电阻的公式是什么?