利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容C_ox=10^-3pF/μm²，扩散区电容C_ja=10^-4pF/μm²，扩散区周边电容为C_ja=10^-3pF/μm，场区多晶硅与衬底之间的电容C_p=5×10^-5pF/μm²，试计算多晶硅区和扩散区的电容。