单项选择题
已知某NMOS器件的Vt=1V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA=50V，且工作点电流ID=0.5mA，则其小信号模型参数gm=（）mA/V，ro=（）kΩ。
A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
点击查看答案&解析
相关考题
-
单项选择题
电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′n=100μA/V2，忽略沟道长度调制效应，则电阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5 -
单项选择题
在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低 -
单项选择题
某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。
A.1
B.2
C.3
D.4
