单项选择题
电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′n=100μA/V2，忽略沟道长度调制效应，则电阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
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单项选择题
在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低 -
单项选择题
某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。
A.1
B.2
C.3
D.4 -
单项选择题
NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS（）Vt，uDS（）uGS-Vt。
A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉
