单项选择题
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.淀积速率受气相质量输运控制
D.淀积速率受表面化学反应控制
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单项选择题
在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）
A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm -
判断题
离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。 -
多项选择题
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）
A.靶温升高，临界剂量上升
B.注入离子越轻，临界剂量越小
C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低
D.注入离子能量越高，临界剂量越低
