相关考题
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多项选择题
CVD制备SiO2的方法有（）。
A.中温LPCVD
B.低温APCVD
C.低温PECVD
D.低温LPCVD -
多项选择题
金属W（钨）的用途有（）。
A.局部互连
B.全局互连
C.钨插塞
D.栅极 -
多项选择题
下列属于多晶硅薄膜的特性有（）。
A.扩散系数明显高于单晶硅
B.晶粒尺寸大的薄膜电阻率小
C.晶向唯一
D.电阻率远高于单晶硅
