单项选择题
APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD分别是（）的简称。
A.常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积
B.常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积
C.低压化学气相淀积、常压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积
D.常压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积
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低压化学气相淀积的英文缩写是（）
A.APCVD
B.PECVD
C.LPCVD
D.HDPCVD -
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A.热氧化
B.化学气相沉积
C.物理气相沉积
D.外延 -
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以下属于金属膜的是（）
A.多晶硅
B.铝膜
C.单晶硅
D.氧化铝
