相关考题
-
单项选择题
用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A、低于
B、等于或大于
C、大于 -
单项选择题
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变 -
单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
A、位错
B、螺旋位错
C、肖特基缺陷
D、层错
