考题列表
- 单项选择题 下列是晶体的是（）。
- 单项选择题 只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。
- 单项选择题 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。
- 单项选择题 在通常情况下，GaN呈（）型结构。
- 单项选择题 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
- 单项选择题 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离...
- 单项选择题 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的...
- 单项选择题 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）
- 单项选择题 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；
- 单项选择题 最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置...
- 单项选择题 载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。
- 单项选择题 把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。
- 单项选择题 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导...
- 单项选择题 一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，...
- 单项选择题 影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类...
- 单项选择题 原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）
- 单项选择题 下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）
- 单项选择题 下列哪个不是单晶常用的晶向（）
- 单项选择题 PN结的基本特性是（）
- 单项选择题 光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材...
- 单项选择题 在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称（）
- 单项选择题 硅片抛光在原理上不可分为（）
- 单项选择题 可用作硅片的研磨材料是（）
- 单项选择题 热处理中氧沉淀的形态不包括（）
- 单项选择题 CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）
- 单项选择题 悬浮区熔的优点不包括（）
- 多项选择题 铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）
- 单项选择题 铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）
- 单项选择题 制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）
- 单项选择题 改良西门子法的显著特点不包括（）
- 单项选择题 多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅...
- 单项选择题 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
- 单项选择题 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
- 单项选择题 下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）
- 单项选择题 用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
- 单项选择题 属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
- 单项选择题 简述光生伏特效应中正确的是（）
- 单项选择题 单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）
- 单项选择题 用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
- 单项选择题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的...
