相关考题
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单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
A、位错
B、层错
C、肖特基缺陷
D、螺旋位错 -
单项选择题
简述光生伏特效应中正确的是（）
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。 -
单项选择题
单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
