单项选择题
下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）
A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
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单项选择题
用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于 -
单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
A、位错
B、层错
C、肖特基缺陷
D、螺旋位错 -
单项选择题
简述光生伏特效应中正确的是（）
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
