单项选择题
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
- A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
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单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤ -
单项选择题
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）
A.减小，减小
B.减小，增大
C.增大，增大
D.增大，减小 -
单项选择题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）
A.漂移迁移率
B.电导迁移率
C.霍尔迁移率
D.磁阻迁移率
