判断题
在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。
【参考答案】
正确
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
点击查看答案&解析
相关考题
-
多项选择题
关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率（）
A.光源为紫光
B.使用移相掩膜技术制备的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.驻波效应对分辨率无影响 -
多项选择题
溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确（）
A.蒸镀工艺的普适性更好
B.溅射工艺的普适性更好
C.溅射工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸镀工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好 -
多项选择题
从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上（）
A.衬底放在面积大的电极上
B.靶放在面积大的电极上
C.衬底放在面积小的电极上
D.靶放在面积小的电极上
