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单项选择题
如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。
A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化 -
判断题
CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。 -
判断题
STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。
