考题列表
- 单项选择题 一个四输入的或非门，一般采用几个pitch？（）
- 单项选择题 反相器的版图一般用到几个pitch？（）
- 单项选择题 薄栅管ESD保护结构的ESD保护能力通常为多少？（）
- 单项选择题 电源线和地线一般用什么图层来画？（）
- 单项选择题 为了后续连接方便，信号端一般用什么图层引出?（）
- 单项选择题 版图绘制时一般用哪个图层来实现器件连接？（）
- 单项选择题 版图绘制应该在哪个视图中进行？（）
- 单项选择题 如果想在电路图模式下编辑符号，可以选择以下哪个命令？（）
- 单项选择题 关于电路的层次，自下向上顺序正确的是（）。
- 单项选择题 展现电路的逻辑电路连接的是哪种视图模式?（）
- 单项选择题 用四端器件绘制电路图时，NMOS管和PMOS管的衬底连接正确...
- 单项选择题 在组合电路中，NMOS管串联实现的是什么逻辑？（）
- 多项选择题 MOS管版图一般匹配原则有（）。
- 多项选择题 集成电路版图物理验证必须要做的步骤主要有哪些？（）
- 单项选择题 集成电路再分析软件其处理的主要对象是（）。
- 单项选择题 摩尔定律中每一代集成电路上晶体管密度翻倍值是多少？（）
- 判断题 无论是施加正偏压还是反偏压，MOS电容都是一种线性电容。
- 判断题 MOS结构指的是金属氧化物半导体结构的简称。
- 多项选择题 外延双阱工艺的优点包括（）。
- 多项选择题 CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。
- 多项选择题 集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。
- 单项选择题 CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。
- 单项选择题 为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。
- 单项选择题 以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中...
- 单项选择题 在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。
- 单项选择题 光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光...
- 单项选择题 源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。
- 单项选择题 未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。
- 单项选择题 我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。
- 单项选择题 显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。
- 单项选择题 MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。
- 单项选择题 氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。
- 单项选择题 如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。
- 判断题 CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。
- 判断题 STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。
- 判断题 光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准...
- 判断题 形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该...
- 判断题 CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以是P阱结构，还...
- 判断题 MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀...
- 判断题 当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的...
