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单项选择题
MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。
A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区 -
单项选择题
氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG -
单项选择题
如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。
A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
