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单项选择题
在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。
A.沟道效应
B.鸟嘴效应
C.寄生效用
D.闩锁效应 -
单项选择题
光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方式称为（）。
A.接触式
B.接近式
C.投影式
D.步进式 -
单项选择题
源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。
A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散
