多项选择题
蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）
A.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化
B.为了降低镀膜中的杂质
C.为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程
D.为了制备的镀膜表面更平坦
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单项选择题
PVD与CVD比较，下列哪种说法正确（）
A.CVD普适性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工艺温度更低
D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差 -
单项选择题
下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）
A.空位
B.填隙杂质
C.自填隙
D.替位杂质 -
单项选择题
CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）
A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭
B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭
C.多晶硅原料纯度不够高
D.干锅清洗不干净造成
