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多项选择题
蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）
A.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化
B.为了降低镀膜中的杂质
C.为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程
D.为了制备的镀膜表面更平坦 -
单项选择题
PVD与CVD比较，下列哪种说法正确（）
A.CVD普适性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工艺温度更低
D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差 -
单项选择题
下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）
A.空位
B.填隙杂质
C.自填隙
D.替位杂质
