单项选择题
现代光刻工艺有10个步骤，其中4个是热处理步骤，下列哪个热处理顺序是正确的？（）
A.前烘、后烘、打底膜、坚膜
B.打底膜、前烘、后烘、坚膜
C.预烘、坚膜、前烘、后烘
D.打底膜、坚膜、前烘、后烘
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Si3N4薄膜的特性有（）。
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B.对底层金属可保形覆盖
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D.选择性氧化的掩蔽膜 -
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A.表面迁移
B.直接入射
C.再发射
D.到达角
