相关考题
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多项选择题
Si3N4薄膜的用途有（）。
A.浅槽隔离的CMP停止层
B.最终钝化膜和机械保护膜
C.MOSFETs中的侧墙
D.选择性氧化的掩蔽膜 -
多项选择题
实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。
A.表面迁移
B.直接入射
C.再发射
D.到达角 -
多项选择题
CVD制备SiO2的方法有（）。
A.中温LPCVD
B.低温APCVD
C.低温PECVD
D.低温LPCVD
