多项选择题
P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这会给再分布扩散带来哪些影响？（）
A.P扩散速度加快
B.扩入Si的P总量下降
C.在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭（是指低于SiO2一侧）
D.在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO2一侧）
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多项选择题
硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？（）
A.杂质表面浓度< Ns
B.杂质表面浓度=Ns
C.应再扩散71min
D.表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度 -
单项选择题
多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）
A.磁控溅射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD -
单项选择题
基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。
A.核阻止和电子阻止是独立的
B.核阻止本领>电子阻止本领
C.核阻止本领< 电子阻止本领
D.核阻止和电子阻止与入射离子能量无关
