欢迎来到在线考试题库网
在线考试题库官网
登录
注册
首页
医学类
建筑类
财经类
全部科目
>
大学试题
>
理学
>
物理学
>
薄膜物理与技术
搜题找答案
判断题
在LPCVD Si
3
N
4
制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）
【参考答案】
正确
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
点击查看答案&解析
上一题
目录
下一题
相关考题
判断题
Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）
判断题
在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）
判断题
膜的应力要尽可能小，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形，所有的淀积都会在膜中产生应力。（）
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
