考题列表
- 判断题 PLD沉积合金薄膜时比蒸发的成分可控性要好。
- 判断题 MOCVD通常用于制备外延薄膜。
- 判断题 温度越高，吸附原子解吸附越快，所以扩散距离越短。
- 判断题 溅射镀膜中，气压越高，入射离子越多，因此沉积速率越快。
- 判断题 磁控溅射可以是直流溅射，也可以是射频溅射。
- 判断题 化学气相沉积中，提高气体流速，可加快薄膜的沉积速率。
- 判断题 低温、高速的沉积往往有助于形成粗大甚至单晶结构的薄膜。
- 判断题 当入射离子能量小于一定值时，不会发生溅射现象。
- 判断题 分子泵、扩散泵都不是通过容积变化来达到抽气目的。
- 判断题 蒸发镀膜时，必须将镀料加热至熔点温度以上。
- 多项选择题 溅射机理有（）。
- 多项选择题 热偶规和热阻规工作原理基本相同，只是分别通过采集规管热丝上的...
- 多项选择题 真空系统中进行真空测量的元件通常称为真空计或真空规管，请指出...
- 多项选择题 与小平面源相比，点蒸发源具有（）等特点。
- 多项选择题 PECVD中，等离子体的激励方式有（）。
- 多项选择题 不同压力下，气体的流动状态可以分为（）。
- 单项选择题 欲在一批小尺寸的基板上用小平面源蒸发沉积厚度一致的薄膜，基板...
- 单项选择题 真空蒸发中常用的电阻蒸发金属发热材料不包括（）。
- 单项选择题 在溶液镀膜法中各列举一个制备Al2O3薄膜的方法是（）。
- 单项选择题 在连续薄膜的形成过程中，下面哪一个不是涉及小岛合并的机理？（）
- 单项选择题 以下哪一个不是在不同压力下气体的流态？（）
- 单项选择题 磁控溅射比较难制备以下哪一种材料的薄膜？（）
- 单项选择题 外延薄膜的生长方式可以分为（）和二维成核式两种模式。
- 单项选择题 等离子鞘层中两极间的全部电压降几乎均集中在（）中。
- 单项选择题 不同压力下，气体的流动状态可以分（），粘滞流和介于两者之间...
- 单项选择题 以下哪一个不是连续薄膜的生长方式？（）
- 判断题 对于LPCVD Si3N4工艺，NH3/DCS比例越小颗粒改...
- 判断题 在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以...
- 判断题 Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应...
- 判断题 在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）
- 判断题 膜的应力要尽可能小，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形，...
- 判断题 通过调节P5000基座水平可改善淀积膜厚的均匀性。（）
- 判断题 溅射与蒸发过程中真空度大小直接影响制品反射率情况。（）
- 判断题 蒸发淀积多元化合金薄膜时，可较好控制其化学成分。（）
- 判断题 P1848设备TEOS水浴加热后通过He携带进入腔体与O2气...
- 判断题 溅射淀积工艺的金属台阶覆盖要比蒸发淀积的台阶覆盖更好。（）
- 单项选择题 液态TEOS源是采用载流气体鼓泡方式携带，例如N2、O2、H...
- 单项选择题 下列哪种工艺会使用到RF？（）
- 单项选择题 在硅片加工中可以接受的膜，以下不具备需要的膜特征（）
- 单项选择题 蒸发台以下哪项参数对膜厚影响最大（）
