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单项选择题
以下哪一个不是连续薄膜的生长方式？（）
A.熔结
B.原子填充
C.吞并
D.原子团迁移 -
判断题
对于LPCVD Si3N4工艺，NH3/DCS比例越小颗粒改善越明显。（） -
判断题
在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）
