单项选择题
关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）
A.湿氧比干氧慢得多
B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的
C.水汽氧化层比干氧氧化层致密
D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率
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CMOSIC通常采取那种隔离方法（）
A.局部场氧化
B.浅槽隔离
C.pn结隔离
D.混合隔离 -
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可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）
A.增长光源波长
B.增大分辨率系数
C.减小分辨率系数
D.缩短光源波长 -
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下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）
A.RIE
B.MOCVD
C.溅射
D.LPCVD
