相关考题
-
多项选择题
以下关于CVD的描述正确的有（）。
A.hg≥ks，淀积速率为扩散控制
B.hg≤ks，淀积速率为反应控制
C.hg≥ks，淀积速率为反应控制
D.hg≤ks，淀积速率为扩散控制 -
多项选择题
CVD淀积SiO2薄膜过程中主要涉及的运动有哪些？（）
A.漂移运动
B.反应运动
C.扩散运动
D.加接运动 -
多项选择题
CVD基本过程包括（）。
A.在表面进行化学反应，在表面淀积成薄膜
B.副产物脱离吸附
C.脱吸副产物逸出反应室
D.反应剂传输至衬底表面，反应剂吸附在表面
