相关考题
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多项选择题
光刻工艺对准误差包括（）。
A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.转动
D.套准误差 -
多项选择题
光刻工艺的特点包括（）。
A.决定特征尺寸的关键工艺
B.光刻与芯片的价格和性能密切相关
C.光刻工艺过程复杂
D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术 -
单项选择题
光刻工艺的设备核心是（）。
A.掩膜版
B.对准和曝光
C.光刻机
D.光刻胶
