单项选择题
CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）
A.温度升高，略有下降
B.与温度无关
C.温度升高，略有增加
D.都相同
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单项选择题
看图判断下列描述是否正确？（）
A.是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数
B.是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函数
C.是恒定源扩散，杂质浓度分布是余误差函数
D.是恒定源扩散，杂质浓度分布是高斯函数 -
单项选择题
关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）
A.湿氧比干氧慢得多
B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的
C.水汽氧化层比干氧氧化层致密
D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率 -
多项选择题
CMOSIC通常采取那种隔离方法（）
A.局部场氧化
B.浅槽隔离
C.pn结隔离
D.混合隔离
